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溫度敏感的產(chǎn)品或過程如果暴露于太高或太低溫度就會(huì)被損毀，數(shù)據(jù)記錄器能夠幫著解決此問題。以往，企業(yè)只能保留每次關(guān)鍵溫度監(jiān)測(cè)任務(wù)的16kb數(shù)據(jù)，并且往往不得不降低數(shù)據(jù)采樣率。ds1925具有122kb數(shù)據(jù)記錄存儲(chǔ)器，比其它數(shù)據(jù)記錄產(chǎn)品的監(jiān)測(cè)時(shí)間更長，并且同時(shí)保證相應(yīng)的采樣率... 更多>>
針對(duì)便攜電子技術(shù)在日常生活中的應(yīng)用日益普及，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)推出新系列低功耗微型電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，讓精密先進(jìn)的電池供電設(shè)備變得更小、便攜性更強(qiáng)、續(xù)航時(shí)間更長。... 更多>>
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(stmicroelectronics，簡(jiǎn)稱st;紐約證券交易所代碼：stm)新推出的電池充電管理芯片大幅提升功能集成度，對(duì)充電性能和功耗沒有絲毫影響... 更多>>
2012年9月25日，西安華芯采用中芯國際 (SMIC) 55nm低漏電邏輯工藝完成的高速大容量SRAM 編譯器目前已經(jīng)可以交付客戶使用。該款I(lǐng)P為單端口同步SRAM，已完成測(cè)試芯片的流片和硅片測(cè)試。編譯器支持可選位寬2~64 bit，支持8/16/32列選擇寬度, 支持按位屏蔽的寫操作... 更多>>
Micron 的 XTRMFlash(TM) 存儲(chǔ)器突破 NOR 閃存速度 對(duì)下一代、隨開即用應(yīng)用程序的限制 Winbond Electronics 首先簽訂開發(fā) XTRMFlash 兼容存儲(chǔ)設(shè)備許可協(xié)議 愛達(dá)荷州博伊西， 2015 年 10 月 21 日（ GLOBE NEWSWIRE ） -- Micron Technology, I nc. （納斯達(dá)克股票代碼： MU ）... 更多>>
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